氮化鋁基板 垂直結構硅基大功率紫外芯片 獨特的芯片焊線設計
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LP-UVM6025150A1采用垂直結構硅襯底大功率紫外LED芯片,基板線路設計靈活,在小的發(fā)光區(qū)內(nèi)可實現(xiàn)高密度的紫外光輸出,焊線具有高可靠性,產(chǎn)品的尺寸功率可根據(jù)客戶要求定制。
采用陶瓷基板,導熱性能好
垂直結構紫外芯片發(fā)光,能量密度集中
獨特的芯片焊線設計 ,高可靠性
光電參數(shù): (T solder pad =25 ℃) | ||||
光區(qū)面積 (mm) | 峰值波長 (nm) | 輻射強度 (W/cm2) | 正向電壓 (V) | 功率 (W) |
Typ.@1800mA*3 | ||||
27.6*25 | 390~395 | ≥15 | 28 | 150 |
LP-UVM5535180A1采用垂直結構硅襯底大功率紫外LED芯片,基板線路設計靈活,在小的發(fā)光區(qū)內(nèi)可實現(xiàn)高密度的紫外光輸出,焊線具有高可靠性,產(chǎn)品的尺寸功率可根據(jù)客戶要求定制。
采用陶瓷基板,導熱性能好
垂直結構紫外芯片發(fā)光,能量密度集中
獨特的芯片焊線設計,高可靠性
光電參數(shù): (T solder pad =25 ℃) | ||||
光區(qū)面積 (mm) | 峰值波長 (nm) | 輻射強度 (W/cm2) | 正向電壓 (V) | 功率 (W) |
Typ.@1500mA | ||||
33.96*28.3 | 390~395 | ≥15 | 140 | 180 |
LP-UVM4029150A1采用垂直結構硅襯底大功率紫外LED芯片,基板線路設計靈活,高密度芯片排布,在小的發(fā)光區(qū)內(nèi)可實現(xiàn)高密度的紫外光輸出,焊線具有高可靠性,產(chǎn)品的尺寸功率可根據(jù)客戶要求定制。
采用陶瓷基板,導熱性能好
垂直結構紫外芯片發(fā)光,能量密度集中
獨特的芯片焊線設計,高可靠性
光電參數(shù):(T solder pad =25 ℃) | ||||
光區(qū)面積 (mm) | 峰值波長 (nm) | 輻射強度 (W/cm2) | 正向電壓 (V) | 功率 (W) |
Typ.@4200mA | ||||
28.77*8.3 | 390~395 | ≥20 | 42 | 150 |
LP-UVM5632150A1采用垂直結構硅襯底大功率紫外LED芯片,基板線路設計靈活,高密度芯片排布,在小的發(fā)光區(qū)內(nèi)可實現(xiàn)高密度的紫外光輸出,焊線具有高可靠性,產(chǎn)品的尺寸功率可根據(jù)客戶要求定制。
采用陶瓷基板,導熱性能好??
垂直結構紫外芯片發(fā)光,能量密度集中?
獨特的芯片焊線設計,高可靠性? ?
光電參數(shù):(T solder pad =25 ℃)??? | ||||
光區(qū)面積(mm) | 峰值波長?(nm) | 輻射強度 (mW) | 正向電壓 (V) | 功率?(W) |
Typ.@2800mA | ||||
32.8*32.6 | 390~395 | ≥80000 | 56 | 150 |